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电子元器件详细资料 » IC[17758] » FDN359BN
型号:FDN359BN类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C46 毫欧 @ 2.7A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds650pF @ 15V
功率_最大460mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装3-SSOT
包装带卷 (TR)

供应商

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辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市三得电子有限公司谢先生15026993318
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